Все словари русского языка: Толковый словарь, Словарь синонимов, Словарь антонимов, Энциклопедический словарь, Академический словарь, Словарь существительных, Поговорки, Словарь русского арго, Орфографический словарь, Словарь ударений, Трудности произношения и ударения, Формы слов, Синонимы, Тезаурус русской деловой лексики, Морфемно-орфографический словарь, Этимология, Этимологический словарь, Грамматический словарь, Идеография, Пословицы и поговорки, Этимологический словарь русского языка.
Уважаемый пользователь, сайт развивается и существует только на доходы от рекламы - пожалуйста, отключите
блокировщик рекламы.
Недавно искали
ганна эффект
Энциклопедический словарь
Га́нна эффе́кт - генерация высокочастотных колебаний электрического тока в полупроводнике с N-образной вольтамперной характеристикой. Ганна эффект связан с периодическим появлением в кристалле и перемещением по нему области сильного электрического поля, которая называется доменом Ганна. Частота колебаний обратно пропорциональна длине образца. В кристалле GaAs длиной 50-30 мкм частота колебаний 0,3-2 ГГц. Используется в генераторах и усилителях СВЧ. Открыт Дж. Ганном в 1963.
* * *
ГАННА ЭФФЕКТ - ГА́ННА ЭФФЕ́КТ, генерация высокочастотных колебаний электрического тока в полупроводнике (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ) с N-образной вольт-амперной характеристикой. Ганна эффект связан с периодическим появлением в кристалле и перемещением по нему области сильного электрического поля, которая называется доменом Ганна. Частота колебаний обратно пропорциональна длине образца. В кристалле GaAs длиной 50-30 мкм частота колебаний ГАННА ЭФФЕКТ0,3-2 ГГц. Используется в генераторах и усилителях сверхвысокой частоты. Открыт Дж. Ганном в 1963.
Большой энциклопедический словарь
ГАННА эффект - генерация высокочастотных колебаний электрического тока в полупроводнике с N-образной вольт-амперной характеристикой. Ганна эффект связан с периодическим появлением в кристалле и перемещением по нему области сильного электрического поля, которая называется доменом Ганна. частота колебаний обратно пропорциональна длине образца. В кристалле GaAs длиной 50-30 мкм частота колебаний ~0,3-2 ГГц. Используется в генераторах и усилителях сверхвысокой частоты. Открыт Дж. Ганном в 1963.
